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Siehe Technische Spezifikationen

IPP80N08S2-07 +BOM

TO-220-3 MOSFET IPP80N08S2-07 with ROHS certification

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPP80N08S2-07
Datenblatt:

IPP80N08S2-07 Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

320.0 A
RthJC Max:

0.5 K/W
Ptot Max:

300.0 W
Qualification:

Automotive
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP80N08S2-07

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPP80N08S2-07 Allgemeine Beschreibung

In conclusion, the IPP80N08S2-07 Power Field-Effect Transistor is a high-quality semiconductor device that offers reliable operation and efficient power handling capabilities. With its N-Channel design and Silicon construction, this transistor is suitable for a wide range of electronic applications. Whether you're a hobbyist or a professional, this transistor is a valuable addition to your components inventory for enhancing performance and efficiency in your projects

Hauptmerkmale

N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested

Spezifikationen

IDpuls max	320.0 A	RthJC max	0.5 K/W
Ptot max	300.0 W	Qualification	Automotive
VDS max	75.0 V	VGS(th) min	2.1 V
Polarity	N	RDS (on) max	7.4 mΩ
VGS(th) max	4.0 V	QG max	144.0 nC
ID max	80.0 A	Technology	OptiMOS™
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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