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Siehe Technische Spezifikationen

IPT013N08NM5LF +BOM

10V gate threshold voltage MOSFET with ultra-low leakage current of 250uA

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPT013N08NM5LF
Datenblatt:

IPT013N08NM5LF Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™ 5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelle:

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IPT013N08NM5LF Allgemeine Beschreibung

Infineon's IPT013N08NM5LF OptiMOS™ 5 linear FET 80V offers an innovative approach to power management in a compact TO-Leadless (TOLL) package. Boasting the industry's lowest on-state resistance RDS(on) and a wide safe operating area (SOA) at 25˚C, this linear FET sets a new standard for performance and efficiency. With its unique ability to excel in high-current, demanding applications like hot-swap and e-fuse systems, the IPT013N08NM5LF is the go-to choice for telecom and battery management systems seeking superior protection and reliability

Spezifikationen

Series	OptiMOS™ 5	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Ta), 333A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3mOhm @ 150A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	158 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	820 pF @ 40 V	Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 278W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IPT013N

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