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IPT60R022S7XTMA1 +BOM
With a power dissipation of 390W at a case temperature of 25°C, this MOSFET offers high performance and reliability for various applications
8-PowerSFN-
Hersteller:
Infineon Technologies
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Herstellerteil #:
IPT60R022S7XTMA1
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Datenblatt:
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Series:
CoolMOS™S7
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
600 V
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EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 6676 Stck
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IPT60R022S7XTMA1 Allgemeine Beschreibung
Infineon Technologies' OptiMOS™ 5 family of MOSFETs includes the IPT60R022S7XTMA1, which offers a combination of efficiency, low conduction and switching losses, and easy mounting and installation thanks to its TO-220 package. This makes it an ideal choice for power management applications where energy efficiency is a primary concern. Whether it's in high-frequency switching applications, power supplies, or motor control systems, the IPT60R022S7XTMA1 delivers the performance and reliability required for demanding applications
Spezifikationen
Series | CoolMOS™S7 | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 23A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.44mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 12 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5639 pF @ 300 V | Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | IPT60R022 |
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