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Siehe Technische Spezifikationen

IPTG007N06NM5ATMA1 +BOM

MOSFET TRENCH 40<-<100V

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IPTG007N06NM5ATMA1
Datenblatt:

IPTG007N06NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™ 5
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPTG007N06NM5ATMA1

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

IPTG007N06NM5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Hauptmerkmale

Part number: IPG005M06NM5ATMA2
Package: DPAK-3 Full Pack
Transistor type: P-MOSFET
P-channel depletion mode
RDS(on) : 8mΩ
High voltage rating

Anwendung

Precision pharmaceuticals
Revolutionary agriculture methods
High-quality food products

Spezifikationen

Series	OptiMOS™ 5	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	53A (Ta), 454A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.75mOhm @ 150A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3.3V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	261 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21000 pF @ 30 V	Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 375W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IPTG007N

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