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Siehe Technische Spezifikationen

IRF232 +BOM

N-Channel 200 V 8A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-3

Hersteller:

Harris Corporation
Herstellerteil #:

IRF232
Datenblatt:

IRF232 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Case Connection:

DRAIN
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF232

IRF232 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 8A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-3

Spezifikationen

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code		Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	200 V
Drain Current-Max (ID)	8 A	Drain-source On Resistance-Max	0.6 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-204AA
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	NOT SPECIFIED	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	32 A	Qualification Status	COMMERCIAL
Surface Mount	NO	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	PIN/PEG	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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