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Product IRF7389 is a Power Field-Effect Transistor with a 7
SO-8Hersteller:
Infineon
Herstellerteil #:
IRF7389
Datenblatt:
Tj Max:
150.0 °C
Moisture Sensitivity Level:
1
Polarity:
N+P
Ptot Max:
2.5 W
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
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Engineered for high-speed switching applications, the IRF7389 MOSFET power transistor features a typical gate charge of 100nC and a low gate threshold voltage of 2V, providing compatibility with a wide range of gate drive circuits. Additionally, the transistor's high avalanche energy rating of 410mJ ensures robustness in high-energy transient conditions. Whether it's for power supplies, motor drives, or other high-power switching applications, the IRF7389 delivers the performance and reliability needed for demanding environments
Tj max | 150.0 °C | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Polarity | N+P | Ptot max | 2.5 W |
RthJA max | 50.0 K/W | VDS max | -30.0 V |
VGS max | 20.0 V | RDS (on) max | 98.0 mΩ |
VGS(th) min | 1.0 V | ID max | -5.3 A |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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1000+ $0,587
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