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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRF7807VD1 +BOM

3A 30V Surface Mount Transistor

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IRF7807VD1
Datenblatt:

IRF7807VD1 Datenblatt (PDF)
Series:

FETKY™
Packaging:

Tube
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF7807VD1

IRF7807VD1 Allgemeine Beschreibung

Due to its high current and voltage ratings, the IRF7807VD1 is ideal for use in power management, switching, and amplification circuits. Its compact size and versatile design make it suitable for a variety of small signal applications where space is limited

Spezifikationen

Series	FETKY™	Packaging	Tube
Part Status	Obsolete	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.3A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 7A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
FET Feature	Schottky Diode (Isolated)	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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