Bezahlverfahren
IRF9388PBF +BOM
P-Channel MOSFET with a voltage rating of 30 volts, capable of handling up to 12 amps of current with a surface-mountable package
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)-
Hersteller:
Infineon Technologies
-
Herstellerteil #:
IRF9388PBF
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Datenblatt:
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Series:
HEXFET®
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Packaging:
Tube
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FET Type:
P-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 6016 Stck
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Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IRF9388PBF-Treiber von Infineon Technologies an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.
Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IRF9388PBF.
Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.
Spezifikationen
Series | HEXFET® | Packaging | Tube |
Part Status | Discontinued | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 12A, 20V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±25V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
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