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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFB38N20D +BOM

Reliable N-Channel FET with low on-state resistance for efficient energy conversion

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRFB38N20D
Datenblatt:

IRFB38N20D Datenblatt (PDF)
Mounting:

THT
Ptot Max:

320.0 W
RthJC Max:

0.47 K/W
VDS Max:

200.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFB38N20D

IRFB38N20D Allgemeine Beschreibung

Offering a variety of surface mount and through-hole packages, the IRFB38N20D ensures easy integration into existing designs with industry standard footprints. This makes it a versatile choice for applications across industries, from industrial control systems to consumer electronics. Its reliability and efficiency make it well-suited for use in battery-powered applications, where power management is crucial

Spezifikationen

Mounting	THT	Ptot max	320.0 W
RthJC max	0.47 K/W	VDS max	200.0 V
VGS max	30.0 V	Polarity	N
Tj max	175.0 °C	RDS (on) max	54.0 mΩ
VGS(th) max	5.0 V	VGS(th) min	3.0 V
ID max	43.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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