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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFB4229 +BOM

High-current power MOSFET for plasma displays

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRFB4229
Datenblatt:

IRFB4229 Datenblatt (PDF)
Mounting:

THT
Ptot Max:

330.0 W
RthJC Max:

0.45 K/W
VDS Max:

250.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFB4229

IRFB4229 Allgemeine Beschreibung

The IRFB4229 from the StrongIRFET™ power MOSFET family stands out for its impressive combination of low RDS(on) and high current capability. This makes it a top choice for applications where performance and ruggedness are essential. Whether you're working on DC motors, battery management systems, inverters, or DC-DC converters, this device offers the reliability and efficiency you need to get the job done right

Spezifikationen

Mounting	THT	Ptot max	330.0 W
RthJC max	0.45 K/W	VDS max	250.0 V
VGS max	30.0 V	Polarity	N
Tj max	175.0 °C	RDS (on) max	46.0 mΩ
VGS(th) max	5.0 V	VGS(th) min	3.0 V
ID max	46.0 A	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-40.0 °C

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