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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRFI744G +BOM

40W Power Dissipation

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

IRFI744G
Datenblatt:

IRFI744G Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

450 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.9A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRFI744G

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IRFI744G-Treiber von Vishay Siliconix an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IRFI744G.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	450 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	630mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IRFI744

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