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Siehe Technische Spezifikationen

IRL520NSPBF +BOM

This product, IRL520NSPBF, is a high-voltage N-channel Power MOSFET with a range of 12V to 300V

Hersteller:

International Rectifier
Herstellerteil #:

IRL520NSPBF
Datenblatt:

IRL520NSPBF Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.95
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRL520NSPBF

IRL520NSPBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Hauptmerkmale

Dynamic dV/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
Logic-Level Gate Drive
RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V
175 °C Operating Temperature
Fast Switching
Ease of Paralleling
Lead (Pb)-free Availble

Spezifikationen

Source Content uid	IRL520NSPBF	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Additional Feature	AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas)	85 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	10 A	Drain-source On Resistance-Max	0.22 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	50 pF
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	3.8 W	Power Dissipation-Max (Abs)	48 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	35 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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