Bezahlverfahren
IRL530PBF +BOM
Single N-Channel 100 V 0.16 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
TO-220-3-
Hersteller:
Vishay Siliconix
-
Herstellerteil #:
IRL530PBF
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Datenblatt:
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
15A (Tc)
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 6310 Stck
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IRL530PBF Allgemeine Beschreibung
The TO-220 packaging provides a robust and reliable housing for the transistor, making it suitable for a wide range of industrial and electronic applications. With a power dissipation rating that exceeds industry standards, the IRL530PBF is a versatile and dependable component for your circuit design needs
Hauptmerkmale
- Rapid cycle rated
- Eigenstate isolation
- Synchronous switching
Anwendung
- Industrial
Spezifikationen
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 5 V |
Vgs (Max) | ±10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | IRL530 |
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