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40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN package
8-PowerVDFNHersteller:
Infineon Technologies
Herstellerteil #:
IRLH5034TR2PBF
Datenblatt:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
29A (Ta), 100A (Tc)
EDA/CAD Modelle:
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The IRLH5034TR2PBF is a powerful N-channel MOSFET with a built-in diode, designed to handle high currents and voltages in a compact PQFN56 package. With a continuous drain current rating of 29A and a drain source voltage limit of 40V, this transistor is suitable for a wide range of applications, from power supplies to motor control
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 50A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4730 pF @ 25 V |
Mounting Type | Surface Mount |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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