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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRLHM630TRPBF +BOM

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IRLHM630TRPBF
Datenblatt:

IRLHM630TRPBF Datenblatt (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRLHM630TRPBF

IRLHM630TRPBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)

Hauptmerkmale

Advanced power management solution
Fault-tolerant load switching control
Safe and efficient power conversion

Anwendung

Backup power for computers
Convert solar energy
Manage wind power

Spezifikationen

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	21A (Ta), 40A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3170 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IRLHM630

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