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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IRLI530N +BOM

N-Channel Silicon FET

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IRLI530N
Datenblatt:

IRLI530N Datenblatt (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRLI530N

IRLI530N Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Hauptmerkmale

♦ Avalanche Rugged Technology
♦ Rugged Gate Oxide Technology
♦ Lower Input Capacitance
♦ Improved Gate Charge
♦ Extended Safe Operating Area
♦ 175°C Operating Temperature
♦ Lower Leakage Current: 10µA (Max.) @ VDS = 100V
♦ Lower RDS(ON): 0. 101Ω (Typ.)

Spezifikationen

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 9A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	41W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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