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IRLS3034-7PPBF +BOM

MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 120nC

IRLS3034-7PPBF Allgemeine Beschreibung

Housed in a TO-263 package, also known as D2PAK, the IRLS3034-7PPBF MOSFET offers excellent thermal performance, essential for high power applications where heat dissipation is a concern. Furthermore, the Pb-free lead plating of this transistor aligns with environmental regulations like RoHS, making it an environmentally friendly choice. With these features combined, the IRLS3034-7PPBF stands out as a reliable and efficient power MOSFET for various industrial applications

Hauptmerkmale

  • Precise thermal regulation
  • Fast response time
  • Low noise emission

Anwendung

  • Innovative energy systems
  • Intelligent power modules
  • Grid-tied solar inverters

Spezifikationen

Series HEXFET® FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10990 pF @ 40 V Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount

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