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Siehe Technische Spezifikationen

IRLS3034TRLPBF +BOM

The IRLS3034TRLPBF is a MOSFET capable of handling 40 volts and 195 amps, exhibiting a low resistance of 1

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

IRLS3034TRLPBF
Datenblatt:

IRLS3034TRLPBF Datenblatt (PDF)
Series:

HEXFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRLS3034TRLPBF

IRLS3034TRLPBF Allgemeine Beschreibung

The IRLS3034TRLPBF is a high-performance product that offers a range of benefits for logic level drive applications. With very low RDS(ON) at 4.5V VGS, superior R*Q at 4.5V VGS, and improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, this product is designed to deliver exceptional performance in demanding environments. The fully characterized capacitance and avalanche SOA further enhance its capabilities, while the enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability provide added reliability

Spezifikationen

Series	HEXFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	195A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 195A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	162 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10315 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IRLS3034

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