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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXTA12N50P +BOM

TO-263AA MOSFETs ROHS

Hersteller:

Ixys
Herstellerteil #:

IXTA12N50P
Datenblatt:

IXTA12N50P Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXTA12N50P

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IXTA12N50P-Treiber von Ixys an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IXTA12N50P.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V	Id - Continuous Drain Current	12 A
Rds On - Drain-Source Resistance	500 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5.5 V	Qg - Gate Charge	29 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	200 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	Polar	Series	IXTA12N50P
Configuration	Single	Fall Time	20 ns
Forward Transconductance - Min	7.5 S	Height	4.83 mm
Length	9.65 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	27 ns	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	Polar Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	65 ns
Typical Turn-On Delay Time	22 ns	Width	10.41 mm
Unit Weight	0.056438 oz

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