Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXTQ30N60P +BOM

Unipolar N-MOSFET transistor engineered for applications requiring a maximum voltage of 600V and a current of 30A

Hersteller:

Ixys
Herstellerteil #:

IXTQ30N60P
Datenblatt:

IXTQ30N60P Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXTQ30N60P

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IXTQ30N60P-Treiber von Ixys an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IXTQ30N60P.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	30 A	Rds On - Drain-Source Resistance	240 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	540 W
Channel Mode	Enhancement	Series	IXTQ30N60
Configuration	Single	Fall Time	25 ns
Forward Transconductance - Min	25 S	Height	20.3 mm
Length	15.8 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	80 ns	Typical Turn-On Delay Time	29 ns
Width	4.9 mm	Unit Weight	0.194007 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..