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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IXTQ60N20T +BOM

Discrete MOSFET with a 60A and 200V rating in a TO3P package

Hersteller:

Littelfuse
Herstellerteil #:

IXTQ60N20T
Datenblatt:

IXTQ60N20T Datenblatt (PDF)
Drain-Source Voltage (V):

200
Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

0.04
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

60
Gate Charge (nC):

73
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IXTQ60N20T

IXTQ60N20T Allgemeine Beschreibung

The IXTQ60N20T Trench Gate Power MOSFET is a top choice for low voltage and high current applications. Its incredibly low RDS(on) ensures minimal power dissipation, making it perfect for energy-efficient systems. With a wide operating junction temperature range of -40 °C to 175 °C, this MOSFET is versatile and reliable even in harsh environmental conditions. It is an excellent option for automotive applications and other demanding industries that require high performance and durability

Hauptmerkmale

Pulse Withstand Capability
Reduced EMI Radiation
Simplified Circuit Design

Anwendung

compact design
advanced technology
wide range of applications

Spezifikationen

Drain-Source Voltage (V)	200	Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)	0.04
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)	60	Gate Charge (nC)	73
Input Capacitance, CISS (pF)	4530	Thermal resistance [junction-case] (K/W)	0.3
Configuration	Single	Typical Reverse Recovery Time (ns)	118
Power Dissipation (W)	500	Sample Request	No
Check Stock	Yes

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