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MDI100-12A3 +BOM

IGBT Module NPT Single 1200 V 135 A 560 W Chassis Mount Y4-M5

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

MDI100-12A3
Datenblatt:

MDI100-12A3 Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

NPT
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

135 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MDI100-12A3

MDI100-12A3 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module NPT Single 1200 V 135 A 560 W Chassis Mount Y4-M5

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	NPT	Configuration	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	135 A
Power - Max	560 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)	5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	5.5 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	MDI100	Product Category:	IGBT Modules
Product:	IGBT Silicon Modules	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C:	135 A	Gate-Emitter Leakage Current:	300 nA
Pd - Power Dissipation:	560 W	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 125 C	Packaging:	Bulk
Height:	30 mm	Length:	94 mm
Maximum Gate Emitter Voltage:	20 V	Mounting Style:	Chassis Mount
Product Type:	IGBT Modules	Series:	MDI100
Factory Pack Quantity:	6	Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si	Width:	34 mm
Unit Weight:	6.349313 oz

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