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Siehe Technische Spezifikationen

MD1803DFH +BOM

Precise circuitry meets robust performance in our pre-biased bipolar transistor solution

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

MD1803DFH
Datenblatt:

MD1803DFH Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Mounting Style:

Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

700 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MD1803DFH

MD1803DFH Allgemeine Beschreibung

DescriptionThe MD1803DFH is manufactured using Diffused Collector in Planar Technology adopting new and enhanced high voltage structure. The new MD product series show improved silicon efficiency bringing updated performance to the Horizontal Deflection stage.Features■ State-of-the-art technology: – Diffused collector “enhanced generation”■ More stable performance versus operating temperature variation■ Low base drive requirement■ Tighter hFE range at operating collector current■ Fully insulated power package U.L. compliant■ Creepage distance path> 4mm■ Integrated free wheeling diode■ In compliance with the 2002/93/EC european directiveApplications■ Horizontal deflection output for TV0

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Mounting Style	Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V	Continuous Collector Current	1 A
Peak DC Collector Current	10 A	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	MD1803	Height	16.4 mm
Length	10.4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory	Transistors	Width	4.6 mm

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