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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MD1803DFX +BOM

High voltage NPN power transistor for standard definition CRT display

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

MD1803DFX
Datenblatt:

MD1803DFX Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Mounting Style:

Through Hole
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

5.5
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MD1803DFX

MD1803DFX Allgemeine Beschreibung

Step into the realm of technological excellence with the MD1803DFX, meticulously designed using Diffused Collector in Planar Technology. This masterpiece of engineering heralds a paradigm shift, boasting an advanced high voltage structure. The MD series redefines efficiency, unleashing a new wave of performance with its enhanced silicon efficiency. At the heart of this evolution lies the Horizontal Deflection stage, now empowered to deliver unrivaled precision and reliability

Hauptmerkmale

Rugged design withstanding high temperatures and shocks
Fully compatible with all types of rectifiers
Minimum 2A surge current capability

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Mounting Style	Through Hole
DC Collector/Base Gain hfe Min	5.5	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Continuous Collector Current	10 A	Peak DC Collector Current	10 A
Pd - Power Dissipation	57 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MD1803DFX
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V	Height	16.5 mm
Length	15.7 mm	Maximum DC Collector Current	15 A
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	Transistors	Width	5.7 mm

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