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Siehe Technische Spezifikationen

MD2009DFX +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 58 W Through Hole TO-3PF

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

MD2009DFX
Datenblatt:

MD2009DFX Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Mounting Style:

Through Hole
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

5
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MD2009DFX

MD2009DFX Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 58 W Through Hole TO-3PF

Hauptmerkmale

State-of-the-art technology:

diffused collector enhanced generation

More stable performance versus operating

temperature variation

Low base drive requirement

Tighter hFE range at operating collector current

Fully insulated power package U.L. compliant

Integrated free wheeling diode

In compliance with the 2002/93/EC European

directive

Anwendung

Horizontal deflection output for TV

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Mounting Style	Through Hole
DC Collector/Base Gain hfe Min	5	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Continuous Collector Current	10 A	Peak DC Collector Current	16 A
Pd - Power Dissipation	58 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MD2009DFX
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Height	16.5 mm
Length	15.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Width	5.7 mm	Unit Weight	0.245577 oz

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