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Siehe Technische Spezifikationen

MDI150-12A4 +BOM

IGBT Module NPT Single 1200 V 180 A 760 W Chassis Mount Y3-DCB

Hersteller:

IXYS Corporation
Herstellerteil #:

MDI150-12A4
Datenblatt:

MDI150-12A4 Datenblatt (PDF)
IGBT Type:

NPT
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1200 V
Current - Collector (Ic) (Max):

180 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MDI150-12A4

MDI150-12A4 Allgemeine Beschreibung

IGBT Module NPT Single 1200 V 180 A 760 W Chassis Mount Y3-DCB

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsIGBT Modules	Series	-
IGBT Type	NPT	Configuration	Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector (Ic) (Max)	180 A
Power - Max	760 W	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)	7.5 mA	Input Capacitance (Cies) @ Vce	6.6 nF @ 25 V
Input	Standard	NTC Thermistor	No
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Chassis Mount
Base Product Number	MDI150	feature-packaging
feature-rad-hard		feature-pin-count	5
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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