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Siehe Technische Spezifikationen

MD1803DFP +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 40 W Through Hole TO-220FP

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

MD1803DFP
Datenblatt:

MD1803DFP Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Mounting Style:

Through Hole
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

5
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MD1803DFP

MD1803DFP Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 40 W Through Hole TO-220FP

Hauptmerkmale

State-of-the-art technology:

Diffused collector enhanced generation

Stable performance versus operating temperature variation

Low base drive requirement

Tight hFE range at operating collector current

Fully insulated power package UL compliant

Integrated free wheeling diode

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Mounting Style	Through Hole
DC Collector/Base Gain hfe Min	5	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Continuous Collector Current	10 A	Peak DC Collector Current	15 A
Pd - Power Dissipation	40 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MD1803DFP
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V	Height	9.3 mm
Length	10.4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Width	4.6 mm	Unit Weight	0.081130 oz

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