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Siehe Technische Spezifikationen

NDS335N +BOM

Low threshold voltage MOSFET

Hersteller:

ON Semiconductor
Herstellerteil #:

NDS335N
Datenblatt:

NDS335N Datenblatt (PDF)
Categories:

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Packaging:

Cut Tape (CT)
:

Surface Mount
FET-Type:

2.7V, 4.5V
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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NDS335N Allgemeine Beschreibung

When it comes to precision power management, ON Semiconductor's NDS335N DC-DC converter stands out as a top performer in the industry. Boasting a wide input voltage range and a versatile output voltage capability, this step-down regulator offers unmatched flexibility for a variety of applications. With a maximum output current of 3A and exceptional load and line regulation, the NDS335N ensures stable and reliable power delivery in any operating conditions. The device's peak current mode control scheme provides rapid response to load changes, while thermal shutdown and overcurrent protection features safeguard against potential hazards. The compact QFN-16 package with an exposed pad enhances thermal dissipation, allowing for reliable performance across a broad temperature range

Hauptmerkmale

1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.14 Ω @ VGS= 2.7 V
RDS(ON) = 0.11 Ω @ VGS= 4.5 V.
Industry standard outline SOT-23 surface mount package using poprietary SuperSOTTM-3 design for superior thermal and electrical capabilities.
High density cell design for extremely low RDS(ON).
Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.

Spezifikationen

Product Category	FETs - Single	Categories	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Series	-	Packaging	Cut Tape (CT)
	Surface Mount	Part-Status	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Type	2.7V, 4.5V	Technology	8V
Drain-to-Source-Voltage-Vdss	500mW (Ta)	Current-Continuous-Drain-Id-25°C	110 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Drive-Voltage-Max-Rds-On-Min-Rds-On	SuperSOT-3	Vgs-th-Max-Id	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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