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Siehe Technische Spezifikationen

NDD05N50ZT4G +BOM

Power MOSFET 500V 4.7A 1.5 Ohm Single N-Channel DPAK

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NDD05N50ZT4G
Datenblatt:

NDD05N50ZT4G Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4.7A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NDD05N50ZT4G

NDD05N50ZT4G Allgemeine Beschreibung

Power MOSFET 500V 1.5 Ohm Single N-Channel

Hauptmerkmale

High-reliability Packaging
Fault-tolerant Operation in Parallel
Low-voltage Detection
High-temperature Operation in Parallel

Anwendung

Wireless Mouse Receiver
Bluetooth Dongle
External Hard Drive

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	530 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	83W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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