Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PMD16K100 +BOM

TO-3 NPN Darlington BJT

Hersteller:

Solid State Inc.
Herstellerteil #:

PMD16K100
Datenblatt:

PMD16K100 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Mounting Type:

Through Hole
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PMD16K100

PMD16K100 Allgemeine Beschreibung

When it comes to high-power switching applications, the PMD16K100 truly shines. With a gate-source threshold voltage of 2V and a total gate charge of 9.5nC, this MOSFET delivers fast and efficient operation that is second to none. In conclusion, the PMD16K100 is the ultimate choice for those seeking a high-performance MOSFET that combines reliability, efficiency, and outstanding performance in one stellar package

Spezifikationen

Transistor Type	NPN - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	-
Current - Collector Cutoff (Max)	-	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	-
Power - Max	-	Frequency - Transition	-
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..