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RFP12P08 +BOM

TO-220AB Package Type

RFP12P08 Allgemeine Beschreibung

12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETsThe RFP12P08, and RFP12P10 are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistorsdesigned for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.Features• 12A, 80V and 100V• rDS(ON)= 0.300Ω• SOA is Power Dissipation Limited• Nanosecond Switching Speeds• Linear Transfer Characteristics• High Input Impedance• Majority Carrier Device• Related Literature- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  Components to PC Boards”

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 HTS Code 8541.29.00.95
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 80 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A Drain-source On Resistance-Max 0.3 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 300 pF
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 75 W Power Dissipation-Max (Abs) 75 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 450 ns Turn-on Time-Max (ton) 235 ns

Servicerichtlinien und andere

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