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ST13009 +BOM

High voltage fast-switching NPN power transistor

ST13009 Allgemeine Beschreibung

Leveraging the latest advancements in semiconductor manufacturing, the ST13009 device stands out for its ability to deliver exceptional performance under high voltage conditions. The multi-epitaxial planar technology used in its production guarantees superior switching speeds, while the unique hollow emitter structure sets it apart from conventional options on the market. Engineers and designers can rely on this product to meet the demands of challenging applications that necessitate both precision and reliability

Hauptmerkmale

  • Very high current handling capability for heavy load apps
  • Low voltage drop for efficient energy conversion
  • Excellent temperature stability for wide operating range
  • Rugged package with excellent thermal conductivity
  • Suitable for industrial and commercial applications

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT Mounting Style Through Hole
Transistor Polarity NPN Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V Collector- Base Voltage VCBO -
Emitter- Base Voltage VEBO 12 V Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Maximum DC Collector Current 12 A Pd - Power Dissipation 100 W
Gain Bandwidth Product fT - Minimum Operating Temperature -
Maximum Operating Temperature + 150 C Series ST13009
Height 9.15 mm Length 10.4 mm
Product Type BJTs - Bipolar Transistors Factory Pack Quantity 1000
Subcategory Transistors Technology Si
Width 4.6 mm Unit Weight 0.081130 oz

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