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Siehe Technische Spezifikationen

STD19NE06L +BOM

19A N-Channel Power MOSFET with 60V Rating and 0.06ohm Resistance, TO-252AA Package

Hersteller:

stmicroelectronics
Herstellerteil #:

STD19NE06L
Datenblatt:

STD19NE06L Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD19NE06L

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen STD19NE06L-Treiber von stmicroelectronics an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung STD19NE06L.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	19 A	Rds On - Drain-Source Resistance	50 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	70 W
Channel Mode	Enhancement	Series	STD19NE06L
Configuration	Single	Fall Time	20 ns
Height	2.4 mm	Length	6.6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	105 ns
Factory Pack Quantity	75	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	50 ns
Typical Turn-On Delay Time	25 ns	Width	6.2 mm
Unit Weight	0.011640 oz

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