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Siehe Technische Spezifikationen

STD20NF06T4 +BOM

N-Channel 60 V 24A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STD20NF06T4
Datenblatt:

STD20NF06T4 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD20NF06T4

STD20NF06T4 Allgemeine Beschreibung

With a focus on innovation and excellence, STMicroelectronics has developed the STD20NF06T4 Power MOSFET to meet the growing demands of modern technology. By leveraging their STripFET process, this MOSFET effectively reduces input capacitance and gate charge, making it the ideal solution for primary switches in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications

Hauptmerkmale

Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	24 A	Rds On - Drain-Source Resistance	32 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	31 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	60 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Series	STD20NF06	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Forward Transconductance - Min	15 S
Height	2.4 mm	Length	6.6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	30 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	6.2 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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