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Siehe Technische Spezifikationen

STD27N3LH5 +BOM

N-channel silicon power MOSFET with a 27A current rating and 30V voltage tolerance, featuring a low resistance of 0.028 ohms

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STD27N3LH5
Datenblatt:

STD27N3LH5 Datenblatt (PDF)
Series:

STripFET™ V
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD27N3LH5

STD27N3LH5 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 27A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount DPAK

Spezifikationen

Series	STripFET™ V	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 13.5A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.6 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±22V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	475 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD27N

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