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STD2N62K3 +BOM

N-channel 620 V, 3 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in DPAK package

STD2N62K3 Allgemeine Beschreibung

These MDmesh™ K3 Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ MDmesh™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.

Hauptmerkmale

  • High-performance semiconductor
  • Reliable operation ensured always
  • Precise control technology applied

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 620 V
Id - Continuous Drain Current 2.2 A Rds On - Drain-Source Resistance 3.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 15 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 45 W
Channel Mode Enhancement Tradename MDmesh
Series STD2N62K3 Configuration Single
Fall Time 22 ns Product Type MOSFET
Rise Time 4.4 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 21 ns Typical Turn-On Delay Time 8 ns
Unit Weight 0.011640 oz

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