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STD5NM60-1 +BOM

Suitable for use in TO-251 (IPAK) packages

STD5NM60-1 Allgemeine Beschreibung

The STD5NM60-1 MOSFET transistor from STMicroelectronics is a powerhouse component designed for high-voltage and high-current applications. With its impressive 600V drain-source voltage rating and 5A continuous drain current rating, this transistor is capable of handling demanding power management tasks with ease. Its low on-resistance of 1.25 ohms ensures efficient operation, while the gate-source threshold voltage of 3V provides precise control over the switching mechanism

Spezifikationen

Series MDmesh™ FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V Vgs (Max) ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 96W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Base Product Number STD5NM60

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