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Suitable for use in TO-251 (IPAK) packages
TO-251-3ShortLeads,IPak,TO-251AAHersteller:
STMicroelectronics
Herstellerteil #:
STD5NM60-1
Datenblatt:
Series:
MDmesh™
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
600 V
EDA/CAD Modelle:
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The STD5NM60-1 MOSFET transistor from STMicroelectronics is a powerhouse component designed for high-voltage and high-current applications. With its impressive 600V drain-source voltage rating and 5A continuous drain current rating, this transistor is capable of handling demanding power management tasks with ease. Its low on-resistance of 1.25 ohms ensures efficient operation, while the gate-source threshold voltage of 3V provides precise control over the switching mechanism
Series | MDmesh™ | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 2.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | STD5NM60 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $0,949 | $0,95 |
10+ | $0,808 | $8,08 |
30+ | $0,732 | $21,96 |
100+ | $0,645 | $64,50 |
500+ | $0,549 | $274,50 |
1000+ | $0,530 | $530,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
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IRF3205
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TAN15
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The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren