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Siehe Technische Spezifikationen

STD60NF3LLT4 +BOM

0 A DPAK Power MOSFET

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STD60NF3LLT4
Datenblatt:

STD60NF3LLT4 Datenblatt (PDF)
Series:

STripFET™ II
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD60NF3LLT4

STD60NF3LLT4 Allgemeine Beschreibung

The STD60NF3LLT4 by STMicroelectronics is a robust N-channel Power MOSFET tailored for demanding high-power applications across various industries. With a 30V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 60A, this MOSFET is well-suited for use in formidable high-power switching circuits. Its ultra-low on-resistance of 9.5mOhm plays a vital role in minimizing power losses and enhancing overall efficiency in diverse applications

Spezifikationen

Series	STripFET™ II	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 30A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2210 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD60N

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