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N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
TO-252-3Hersteller:
STMicroelectronics
Herstellerteil #:
STD75N3LLH6
Datenblatt:
Series:
DeepGATE™, STripFET™ VI
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
30 V
EDA/CAD Modelle:
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The TO-252 transistor case style and 3 pins make it easy to integrate into existing circuit designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +175°C ensures reliable performance in harsh environmental conditions. With a power dissipation rating of 60W, this MOSFET is capable of handling high power loads without overheating. In addition, the device is automotive qualified, making it suitable for use in automotive applications
Series | DeepGATE™, STripFET™ VI | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 37.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | STD75N |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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