Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

STD75N3LLH6 +BOM

N-channel 30 V, 0.0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET

STD75N3LLH6 Allgemeine Beschreibung

The TO-252 transistor case style and 3 pins make it easy to integrate into existing circuit designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +175°C ensures reliable performance in harsh environmental conditions. With a power dissipation rating of 60W, this MOSFET is capable of handling high power loads without overheating. In addition, the device is automotive qualified, making it suitable for use in automotive applications

Spezifikationen

Series DeepGATE™, STripFET™ VI FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 37.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number STD75N

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

payment Zahlung

Bezahlverfahren

hsbc
TT/Überweisung
paypal
Paypal
wu
Western Union
mg
Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]
Versand Versand & Verpackung

Versandart

fedex
Fedex
ups
UPS
dhl
DHL
tnt
NTN
Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

Rezensionen

You need to log in to reply. Anmelden | Melden Sie sich an