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Siehe Technische Spezifikationen

STD85N3LH5 +BOM

N-channel 30 V, 0.0042 Ohm , 80 A, DPAK, TO-220, IPAK

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STD85N3LH5
Datenblatt:

STD85N3LH5 Datenblatt (PDF)
Series:

STripFET™ V
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STD85N3LH5

STD85N3LH5 Allgemeine Beschreibung

The STD85N3LH5 is a versatile power MOSFET designed for N Channel applications with a maximum continuous drain current of 40A and a drain source voltage of 30V. Its low on-resistance of 0.0046ohm and threshold voltage of 2.5V make it suitable for high-power applications where efficiency is critical. With a power dissipation rating of 70W, this MOSFET can handle high levels of power without compromising performance. The TO-252 case style with 3 pins provides a reliable and convenient package for easy installation. Operating over a wide temperature range from -55°C to +175°C, this MOSFET is well-suited for automotive applications that require reliable performance in harsh environments. Its surface mount device termination type and MSL 1 - Unlimited rating make it easy to integrate into PCB designs while ensuring long-term reliability

Spezifikationen

Series	STripFET™ V	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 40A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±22V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1850 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	70W (Tc)
Operating Temperature	175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	STD85

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