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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

STS7C4F30L +BOM

Electronic component for high-power circuitry

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

STS7C4F30L
Datenblatt:

STS7C4F30L Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an STS7C4F30L

STS7C4F30L Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 7A, 4A 2W Surface Mount 8-SOIC

Hauptmerkmale

Compact size and lightweight design
High efficiency up to 94%
Wide input voltage range
Isolation voltage up to 3000V
Over current, short circuit, and over voltage protection
Low standby power consumption
Conformal coating for harsh environment

Anwendung

High tech applications
Futuristic innovations
Advanced technology

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	22 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 60 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Dual
Fall Time	10 ns, 35 ns	Height	1.65 mm
Length	5 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns, 35 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	42 ns, 125 ns	Typical Turn-On Delay Time	22 ns, 25 ns
Width	4 mm	Unit Weight	0.002610 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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