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UMF20NTR +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount UMT6

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

UMF20NTR
Datenblatt:

UMF20NTR Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Resistor - Base (R1):

47kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UMF20NTR

UMF20NTR Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA, 150mA 250MHz, 180MHz 150mW Surface Mount UMT6

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA, 150mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1)	47kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA, 100nA (ICBO)	Frequency - Transition	250MHz, 180MHz
Power - Max	150mW	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UMF20

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