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UMF7NTR +BOM

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount UMT6

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

UMF7NTR
Datenblatt:

UMF7NTR Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V, 12V
Resistor - Base (R1):

2.2kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UMF7NTR

UMF7NTR Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount UMT6

Spezifikationen

Series	-	Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA, 500mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V, 12V
Resistor - Base (R1)	2.2kOhms	Resistor - Emitter Base (R2)	2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA, 100nA (ICBO)	Frequency - Transition	250MHz, 320MHz
Power - Max	150mW	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UMF7

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