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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

VN0808LS +BOM

Silicon N-Channel MOSFET with 80V Voltage Rating, 0.33A Current, TO-92S Package

Hersteller:

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

VN0808LS
Datenblatt:

VN0808LS Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.21.00.95
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an VN0808LS

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Tel: +852 95804164

VN0808LS Allgemeine Beschreibung

BENEFITS Low Offset Voltage Low-Voltage Operation Easily Driven Without Buffer High-Speed Circuits Low Error Voltage

Hauptmerkmale

Low On-Resistance: 3.6
Low Threshold: 1.6 V
Low Input Capacitance: 35 pF
Fast Switching Speed: 6 ns
Low Input and Output Leakage

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.21.00.95
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	80 V
Drain Current-Max (ID)	0.33 A	Drain-source On Resistance-Max	4 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	10 pF
JEDEC-95 Code	TO-92	JESD-30 Code	O-PBCY-T3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max	0.9 W	Power Dissipation-Max (Abs)	0.9 W
Surface Mount	NO	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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