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Siehe Technische Spezifikationen

2N2218A +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hersteller:

MICROCHIP TECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

2N2218A
Datenblatt:

2N2218A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Case Connection:

COLLECTOR
Collector Current-Max (IC):

0.8 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N2218A

2N2218A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)

Hauptmerkmale

75V Collector to base voltage (VCBO)
6V Emitter to base voltage (VEBO)
60ns Fall time (VCC = 30V, IC = 150mA)
Multicomp Pro products are rated 4.6 out of 5 stars
12 month limited warranty *view Terms & Conditions for details
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Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	0.8 A
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	20	JEDEC-95 Code	TO-205AD
JESD-30 Code	O-MBCY-W3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	200 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Max (toff)	300 ns
Turn-on Time-Max (ton)	35 ns

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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