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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3014 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

ONSEMI
Herstellerteil #:

2N3014
Datenblatt:

2N3014 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

20 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

350mV @ 10mA, 100mA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3014

2N3014 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 200 mA 350MHz 300 mW Through Hole TO-52-3

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	350mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	300nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 30mA, 400mV
Power - Max	300 mW	Frequency - Transition	350MHz
Operating Temperature	-	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	2N301

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