Bezahlverfahren
2N3055-JQR-B +BOM
Power transistors utilizing bipolar junction technology
TO-3-
Hersteller:
SEMELAB
-
Herstellerteil #:
2N3055-JQR-B
-
Datenblatt:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
70 V
-
EDA/CAD Modelle:
All bill of materials (BOM) can be sent via email to [email protected], or fill below form to Quote for 2N3055-JQR-B, guaranteed quotes back within 12hr.
Verfügbarkeit: 7760 Stck
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Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen 2N3055-JQR-B-Treiber von SEMELAB an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.
Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung 2N3055-JQR-B.
Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.
Spezifikationen
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V | Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
Pd - Power Dissipation | 117 W | Gain Bandwidth Product fT | 2.5 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
Continuous Collector Current | 15 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 at 4 A, 4 V |
DC Current Gain hFE Max | 70 at 4 A, 4 V | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
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After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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