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Siehe Technische Spezifikationen

2N3055AG +BOM

15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

2N3055AG
Datenblatt:

2N3055AG Datenblatt (PDF)
Case Outline:

1-07
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

FTRAY
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3055AG

2N3055AG Allgemeine Beschreibung

The 2N3055AG transistor offers a combination of high performance and rugged construction, making it an ideal choice for industrial and commercial applications. Its 115W power dissipation rating ensures reliable operation under heavy loads, while its 6MHz transition frequency allows for fast and efficient switching. With its NPN polarity and 60V collector-emitter voltage, the 2N3055AG transistor is a versatile solution for a wide range of electronic designs

Hauptmerkmale

Highest Efficiency - Up to 95%
Operating Temperature Range - -40°C to 150°C
Pin Compatible with Industry Standard Packages
Surface Mount Package - SMD and DIP Available
Low Power Consumption - Ideal for Battery-Operated Devices
RoHS Compliant and Pb-Free Available

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	1-07
MSL Temp (°C)	0	Container Type	FTRAY

Servicerichtlinien und andere

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