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2N3055H +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)

2N3055H Allgemeine Beschreibung

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.

Hauptmerkmale

  • DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
  • Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
  • Excellent Safe Operating Area
  • Pb-Free Packages are Available

Anwendung

  • Industrial

Spezifikationen

Source Content uid 2N3055H Pbfree Code No
Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count 2
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Collector Current-Max (IC) 15 A
Collector-Emitter Voltage-Max 60 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 20 JEDEC-95 Code TO-3
JESD-30 Code O-MBFM-P2 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 115 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 0.8 MHz VCEsat-Max 1 V

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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