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Siehe Technische Spezifikationen

2N3108 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 800 mW Through Hole TO-39

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

2N3108
Datenblatt:

2N3108 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

1 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3108

2N3108 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 800 mW Through Hole TO-39

Spezifikationen

Source Content uid	2N3108	Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	1 A	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	20	Number of Elements	1
Operating Temperature-Max	175 °C	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.8 W	Surface Mount	NO
Transition Frequency-Nom (fT)	60 MHz

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